наверх
|
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Технические характеристики
| == Основные характеристики == |
| Производитель |
Samsung |
| == Линейка == |
| Модель |
M425R1GB4BB0-CWM |
| Тип оборудования |
Оперативная память |
| Частота MHz |
DDR5 - 5600 |
| Тип модуля |
SO-DIMM |
| Объем одного модуля ГБ |
8 |
| Количество модулей в комплекте шт |
1 |
| Общий объем памяти ГБ |
8 |
| Пропускная способность МБ/с |
44800 |
| == Количество чипов на модуле == |
| Количество контактов |
262 |
| == Цвет == |
| Напряжение В |
1.1 |
| == Дополнительная информация == |
| Сайт производителя |
http://www.samsung.com/ |
| Сервисный центр производителя |
http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do |
| Описание |
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung |
|
